ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverter Board IGCT Module
Beschreiwung
| Fabrikatioun | ABB |
| Modell | Spezifikatioune vun 5SHY4045L0001 |
| Bestellung Informatiounen | 3BHB018162 |
| Katalog | VFD Ersatzstécker |
| Beschreiwung | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverter Board IGCT Module |
| Urspronk | USA (US) |
| HS Code | 85389091 |
| Dimensioun | 16cm * 16cm * 12cm |
| Gewiicht | 0,8kg vun |
Detailer
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ass en integréierte Gate-Commutated thyristor (IGCT) Produkt vun ABB, gehéiert zu der 5SHY Serie.
IGCT ass eng nei Zort vun elektroneschen Apparat, déi am spéiden 1990er opgetaucht ass.
Et kombinéiert d'Virdeeler vum IGBT (isoléierten Gate bipolare Transistor) an GTO (Gate Turn-Off Thyristor), an huet d'Charakteristike vu schnelle Schaltgeschwindegkeet, grousser Kapazitéit a grousser erfuerderter Fuerkraaft.
Speziell ass d'Kapazitéit vum 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 gläichwäerteg mat deem vum GTO, awer seng Schaltgeschwindegkeet ass 10 Mol méi séier wéi déi vum GTO, dat heescht datt et d'Schaltaktioun an enger méi kuerzer Zäit fäerdeg bréngt an doduerch d'Kraaftkonversiounseffizienz verbessert.
Zousätzlech, am Verglach mat GTO, IGCT kann de grousse a komplizéierte snubber Circuit retten, wat hëlleft de System Design ze vereinfachen an Käschten ze reduzéieren.
Wéi och ëmmer, et sollt bemierkt datt obwuel IGCT vill Virdeeler huet, ass d'Fuerkraaft erfuerderlech nach ëmmer grouss.
Dëst kann den Energieverbrauch an d'Komplexitéit vum System erhéijen. Zousätzlech, obwuel IGCT probéiert GTO an High-Power Uwendungen z'ersetzen, ass et ëmmer nach e staarke Konkurrenz vun aneren neien Apparater (wéi IGBT)
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integréiert Gate kommutéiert Transistoren|GCT (Intergrated Gate kommutéiert Transistoren) ass en neit Kraaft-Hallefueder-Apparat, deen a riesegen Kraaftelektroneschen Ausrüstung benotzt gëtt, deen am Joer 1996 erauskoum.
IGCT ass en neit High-Power Halbleiterschalter-Apparat baséiert op der GTO-Struktur, mat integréierter Gatestruktur fir Gate Festplack, benotzt Puffer-Mëttelschichtstruktur an Anode-transparent Emittertechnologie, mat den On-State Charakteristiken vum Thyristor an de Schalteigenschaften vum Transistor.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 benotzt eng Pufferstruktur a flaach Emittertechnologie, déi den dynamesche Verloscht ëm ongeféier 50% reduzéiert.
Zousätzlech integréiert dës Zort Ausrüstung och eng Freewheeling Diode mat gudden dynamesche Charakteristiken op engem Chip, a realiséiert dann d'organesch Kombinatioun vum nidderegen On-State Spannungsfall, héich Spärspannung a stabile Schalteigenschaften vum Thyristor op eng eenzegaarteg Manéier.
