ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverterplatine IGCT-Modul
Beschreiwung
| Fabrikatioun | ABB |
| Modell | 5SHY4045L0001 |
| Bestellungsinformatiounen | 3BHB018162 |
| Katalog | VFD Ersatzdeeler |
| Beschreiwung | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverterplatine IGCT-Modul |
| Urspronk | Vereenegt Staaten (US) |
| HS-Code | 85389091 |
| Dimensioun | 16cm * 16cm * 12cm |
| Gewiicht | 0,8 kg |
Detailer
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ass en integréierten Gate-kommutéierten Thyristor (IGCT) Produkt vun ABB, deen zu der 5SHY Serie gehéiert.
IGCT ass eng nei Zort elektronesch Apparatur, déi Enn vun den 1990er Joren opgedaucht ass.
Et kombinéiert d'Virdeeler vum IGBT (isoléierte Gate bipolare Transistor) an dem GTO (Gate Turn-Off Thyristor) an huet d'Charakteristike vun enger schneller Schaltgeschwindegkeet, grousser Kapazitéit a grousser erfuerderlecher Undriffsleistung.
Genauer gesot, ass d'Kapazitéit vum 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 gläichwäerteg mat där vum GTO, awer seng Schaltgeschwindegkeet ass 10-mol méi séier wéi déi vum GTO, dat heescht, datt en d'Schaltaktioun a méi kuerzer Zäit ofschléisse kann an doduerch d'Energiekonversiounseffizienz verbessert.
Zousätzlech kann den IGCT am Verglach mam GTO de risegen a komplizéierte Snubber-Circuit spueren, wat hëlleft den Systemdesign ze vereinfachen an d'Käschten ze reduzéieren.
Et sollt awer bemierkt ginn, datt obwuel IGCT vill Virdeeler huet, déi erfuerderlech Undriffskraaft ëmmer nach grouss ass.
Dëst kéint den Energieverbrauch an d'Komplexitéit vum System erhéijen. Zousätzlech, obwuel IGCT probéiert GTO an Uwendungen mat héijer Leeschtung z'ersetzen, ass et ëmmer nach mat staarker Konkurrenz vun aneren neien Apparater (wéi IGBT) konfrontéiert.
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integréiert Gate-kommutéiert Transistoren|GCT (Integréiert Gate-kommutéiert Transistoren) ass en neien Hallefleeder-Komponent fir d'Energieversuergung, deen a risegen elektroneschen Apparater fir d'Energieversuergung benotzt gëtt a 1996 erauskoum.
Den IGCT ass en neien Héichleistungs-Halbleiter-Schalterapparat baséiert op der GTO-Struktur, deen eng integréiert Gate-Struktur fir Gate-Festplack, eng Puffer-Mëttelschichtstruktur an eng Anoden-Transparenten-Emitter-Technologie benotzt, mat den On-State-Charakteristike vum Thyristor an de Schaltcharakteristike vum Transistor.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 benotzt eng Pufferstruktur an eng Shallow Emitter-Technologie, déi den dynamesche Verloscht ëm ongeféier 50% reduzéiert.
Zousätzlech integréiert dës Zort Ausrüstung och eng Fräilaufdiod mat gudden dynamesche Charakteristiken op engem Chip, a realiséiert dann déi organesch Kombinatioun vum niddrege Spannungsfall am On-State, der héijer Blockspannung an de stabile Schaltcharakteristike vum Thyristor op eng eenzegaarteg Manéier.
